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大会通知:150 mm碳化硅外延生长技术的进步和产业化趋势

文章来源: 更新时间:2019-11-11 11:49

总结:
碳化硅(SiC)因其优异的性能而成为开发高功率,高温,高频微波设备的有吸引力的材料。
在SiC中,外延生长对于具有密度和设计厚度的生产层是必不可少的。
均匀增长技术,用于按化学蒸汽位置进行增长,按策略类型进行复制以及分别使用逐步流量增长和C / R比。
在本次演讲中,我们将解释4H-SiC同质外延生长的基本方面和技术发展。
EpiWorlds150mm4H-SiCepi。
该产品实际上是简要介绍的。
演讲者简介:
冯伟,男,1975年出生,博士,高级工程师教授。
2003年,他毕业于中国科学院半导体研究所,获得物理学和材料化学博士学位,曾在德国和日本的许多研究机构工作,然后致力于半导体外延生长的发展。及其大功率设备。
2011年9月,他回到中国,加入昊天成电子技术(厦门)有限公司,提升了碳化硅半导体外延晶片的地位。目前,他是郝天成城的总经理。
他在SCI上发表了40多篇文章,申请了20多项专利,并主持了两个外延碳化硅晶片的组标准。他受邀创建特别报告,并在国内外学术会议上受到邀请。
在他的领导下,昊天天成研发团队成功解决了外延碳化硅生长的一系列关键技术,并成功完成了600V和1200V碳化硅外延晶片的研究和产业化。产品质量已达到世界领先水平。
冯伟博士主持并参加了国家发展和改革委员会2012年电子信息产业振兴与技术改造项目,这是科技部重大科学技术项目(02专项)SiC电力集成电子产品设备制造,研究,开发,工业化,科学技术863项目是基于开发用于与设备网络连接的光伏逆变器的SiCD,大规模SiC材料和设备研究设备和工艺技术的制造业,科学技术部的主要研发计划,中低压SiC材料,器件以及电动汽车充电器的应用水平项目
2013年,魏博士被选为门楼市的双重人才和福建省的人才。
冯伟博士现任厦门市新材料协会副理事长,中国宽带宽带应用与半导体产业联盟副秘书长,中国复合材料与能源半导体SEMI委员会委员。组委会邀请了2014/2015/2016/2017功率器件小组委员会成员邀请委员会。一年一度的国际碳化硅会议(ICSCRM2015)的组织者,2015年在意大利的碳化硅外延生长部主席。亚太带宽半导体会议组织委员会(APWS2019)已被邀请担任程序委员会的成员。
2018年,他获得了中国电子学会科学技术三等奖。
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